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Case 白光干涉测厚

白光干涉测量非晶态与多晶硅材料厚度的技术性案例研究

日期: 2024-11-17
浏览次数: 54

摘要

本文旨在深入探讨利用白光干涉技术测量非晶硅(a-Si)与多晶硅(poly-Si)材料厚度的方法论,特别是在复杂多层结构中,如晶圆硅基底与多晶硅层间嵌入二氧化硅层的结构。通过结合先进的测量设备——如泓川科技提供的LT-IT50系统,以及Bruggeman光学模型的应用,本文详细阐述了测量步骤、方法原理,并通过模拟数据展示了该技术的精确性与可靠性,为硅基电子设备制造中的质量控制提供了科学依据。

白光干涉测量非晶态与多晶硅材料厚度的技术性案例研究

引言

在半导体工业中,非晶硅与多晶硅作为关键材料,其薄膜的厚度和光学性质直接影响电子设备的性能与效率。精确测量这些参数对于优化器件设计、提高生产良率至关重要。白光干涉技术因其高分辨率、非破坏性等优点,成为测量薄膜厚度的理想选择。本文将重点介绍如何利用这一技术,结合特定的光学模型,实现对非晶态与多晶硅材料厚度的精确测量。

白光干涉测量非晶态与多晶硅材料厚度的技术性案例研究

理论背景

1. 白光干涉原理

白光干涉基于光的波动性和干涉现象,当两束相干光波(一束来自参考面,另一束来自样品表面或内部界面)相遇时,会形成明暗相间的干涉条纹。通过分析这些条纹的间距和形状,可以计算出样品表面的形貌或薄膜的厚度。

2. Bruggeman光学模型

Bruggeman模型是一种有效介质理论,用于描述由不同折射率材料组成的混合物的光学性质。在多晶硅薄膜的情况下,该模型能够考虑晶粒大小、分布及其对整体光学常数(折射率n和消光系数k)的影响,从而提高测量的准确性。

测量步骤与方法

1. 样品准备

  • 选取包含非晶硅、多晶硅及二氧化硅夹层的多层结构样品。

  • 确保样品表面清洁无污染,必要时进行化学清洗或物理抛光。

2. 测量设备设置

  • 使用泓川科技的LT-IT50白光干涉仪,配置高精度扫描模块。

  • 设定测量参数,包括扫描范围、分辨率、光源类型(白光)等。

3. 数据采集

  • 启动测量程序,系统自动进行白光干涉测量,记录干涉图谱。

  • 利用设备内置算法,初步处理数据,识别干涉条纹。

4. 数据分析与建模

  • 导入干涉图谱至专业分析软件,应用Bruggeman光学模型。

  • 输入初始猜测值(如各层折射率、厚度),通过迭代算法优化模型参数,直至模拟结果与实验数据最佳匹配。

  • 提取最终的非晶硅、多晶硅层厚度及光学常数(n, k)。

白光干涉测量非晶态与多晶硅材料厚度的技术性案例研究

5. 校验与验证

  • 对比测量结果与已知标准或采用其他独立测量方法(如椭圆偏振光谱法)进行交叉验证。

  • 考虑粗糙度影响,采用适当的修正公式调整测量结果。

案例分析

假设一多层结构样品,由下至上依次为:硅基底、50nm二氧化硅层、300nm多晶硅层。使用LT-IT50测量得到的干涉图谱经处理后,得到如下初步结果:

  • 多晶硅层厚度初步测量值为305nm,标准差±2nm。

  • 应用Bruggeman模型后,调整折射率n=3.5±0.05,消光系数k=0.02±0.01。

  • 二氧化硅层厚度确认为49.8nm,与预设值高度一致。

经过多次迭代优化,最终确定的多晶硅层厚度为298nm,与预设值相差仅0.2%,验证了测量方法的准确性。

白光干涉测量非晶态与多晶硅材料厚度的技术性案例研究

结论

本研究通过白光干涉技术与Bruggeman光学模型的结合,成功实现了对非晶硅与多晶硅材料厚度的精确测量。实验结果表明,该方法不仅适用于简单结构,也能有效处理复杂多层体系,为硅基电子器件的制造提供了高效、准确的检测手段。未来,随着技术的不断进步,白光干涉测量技术将在半导体工业中发挥更加重要的作用,推动材料科学与电子工程领域的持续发展。

参考文献

[此处应列出相关学术文献、技术手册或设备说明书等,由于是示例文章,未具体列出。]


本文通过构建一个假想的测量案例,详细阐述了白光干涉技术在非晶态与多晶硅材料厚度测量中的应用,结合了理论分析与实际操作步骤,旨在为读者提供一个全面、深入的理解框架。实际应用中,具体参数和步骤可能需根据样品特性和测量设备进行适当调整。


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